痕量級AMC空氣分子污染物監測系統

DK-S4500F-AMC

Ma,Mb(NH₃,HCL,HF等)監測---半導體行業應用

概述

在深紫外（DUV）及更先進的光刻工藝中，器件的特征尺寸不斷縮小，對工藝環境的純凈度提出了近乎苛刻的要求。實踐表明，氨氣（NH₃）、鹽酸（HCl）、（HF）等痕量空氣分子污染物（AMC），即使濃度低至ppb級，也足以在晶圓表面發生化學反應，導致光刻膠中毒、關鍵尺寸（CD）漂移或缺陷生成，直接威脅產品良率與可靠性。

為此，我們推出DK-S4500F-AMC空氣分子污染物監測系統。本系統基于腔增強吸收光譜（CEAS） 這一前沿光學檢測技術，能夠對NH₃、HCl、HF等關鍵污染物進行sub-ppb級、秒響應的連續精準監測。

原理

DK-S4500F-AMC一舉攻克監測難題，可對深紫外光刻尤為敏感的NH₃、HCl、HF實現痕量級（sub-ppb）實時測量，并集成增強離子遷移譜EIMS檢測MA、紫外脈沖熒光法測NH₃和NO_x、增強型GC-FID/GC-PID檢測MC構成完整解決方案。

l EIMS離子遷移譜檢測Ma（HF、HCl、HNO₃等）

l 紫外脈沖熒光法檢測NH₃和NO_X

l 增強型GC-FID/GC-PID檢測MC（DOP、DBP、DEP、BHT、TVOCs等）

特性

l sub-ppb級實時測量

l 苛刻危險環境下可連續無人值守測量

l 長期穩定性和可靠性

l
固態電子器件無可移動部件

l 低維護量、長免維護期

l 出廠標定

l 單組份/多組份痕量級氣體測量

l 4~64通道多點采樣

l 獨立可編程報警、繼電器設置

l 可獨立編程采樣點順序和吹掃通道

l 開放的通訊協議，便于二次開發與集成

l 電源斷電或者斷閘，數據無丟失

l 觸摸屏允許數據顯示、表格顯示、曲線顯示等

l ? “外徑接口

l 管線：PFA、PVDF

l 距離采樣點最長管線：80m

l 可遠程操作或可視化操作。

l 校準報告

l 通過采樣器或者快速回路泵采樣

應用

l 深紫外（DUV）及先進光刻區AMC實時監控

l 化學機械研磨（CMP）與濕法刻蝕區域酸性/堿性氣體監測

l 離子注入與薄膜沉積設備區域AMC控制

l 廠務送風與回風系統AMC溯源與過濾器管理

操作界面

圖標和數值                                                 趨勢圈和數值                                  

技術參數